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晶体振荡器,晶体谐振器,压控振荡器
压控振荡封装方式
VCO采用多种封装形式,通常采用表面贴装封装或同轴连接封装。通常采用坚固及气密性封装,七专级电压调振荡器**,或者专门针对恶劣环境和满足高**性标准(工业、商业或用途)进行封装。从常见物料到难寻器件,一应俱全。工作频率范围从DC至220 GHz.
元器件产品被广泛用于航空航天、电信、商业以及工业领域中的测试、开发和系统部署等应用。因此,电镀和封装材料/技术通常满足标准规定,能够达到相关的运行温度范围、湿度、冲击和振动要求。
晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率:振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度:振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差:在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,七专级电压调振荡器**,则是两个频率中较高的一个。
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压控振荡器优点
低相位噪声:高频低抖动的LVDS输出压控晶振,抖动小于0.6ps(12K~20M)。高频率输出:CMOS可达到245MHz, LVDS高频率为2.1GHz, HCSL高可到700MHz。经常会结合PLL锁相电路实现**高频,如图1所示。小尺寸: VCXO尺寸为2.5x2.0mm,七专级电压调振荡器**, CMOS输出,工作电压1.8~5.0V, 频率范围为4.0~50MHz.低功耗: 电压可选1.8V。